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元件参数资料
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参数目录50039
> AOT1N60 MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
型号:
AOT1N60
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
AOT1N60 PDF
产品目录绘图
TO-220
标准包装
1,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
9 欧姆 @ 650mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
160pF @ 25V
功率 - 最大
41.7W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220-3
包装
管件
其它名称
785-1184-5
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